服務項目

高溫(觸媒)氧化局部處理設備

高溫(觸媒)氧化局部處理設備

局部廢氣處理設備

特點:

1.適合於局部排氣(含 SiH4)之廢氣高溫分解處理需求,例如半導體產業 CVD(化學氣相沉積)制程,例如SiOx、G-SiN、a-Si、N+a-Si and P-SiN等薄膜化學氣相沉積,TFT-LCD 產業及矽基太陽能電池產業之PECVD制程,以及被動元件 PVD 制程之局部排氣處理設備。

2.對於單純矽烷(SiH4)類廢氣局部高溫分解,  SiH4
可以電熱高溫分解。

3.若尚有其他反映氣體(例如NH3、N2O、NOx、 VOC及Odor等)可以採用高溫觸媒分解處理,此高溫觸 媒氧化局部處理設備對於固化物(例如SiO2等)、重金屬、硫化物及油滴等會阻塞、降低(或毒化)觸媒壽命的問題,具有完整的解決方案,例如水洗、前處理劑、奈硫磺觸媒及觸媒洗淨再生等技術。

4.使用經驗非常豐富,包括飛元科技、國巨及富臨科技等均採用此技術。

5.應用領域包括IC半導體產業(次微米及奈米制程)、TFT-LCD產業、LED二極體產業及被動元件產業等。

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